半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菊谷公男 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029620
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227374
特許番号：特許第3489001号
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の層間絶縁膜層と、該層間絶縁膜層を挟んで積層される複数の配線層からなる多層配線構造を有する周辺回路およびダイアフラム構造を有する圧力センサが同一半導体基板内に形成される半導体装置において、前記圧力センサは、前記ダイアフラムに形成された歪みゲージと、前記ダイアフラム下方に密封された空洞である圧力基準室を有し、他の領域に積層された層間絶縁膜層よりも少ない層の層間絶縁膜層が積層された前記ダイアフラム上の領域を含む領域を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：