特許
J-GLOBAL ID：201103056515561462

紫外線照射による基板処理装置

発明者：
木下 和人

木下 和人 について

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権守 和彦

権守 和彦 について

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秋葉 勇

秋葉 勇 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 影井 俊次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216128
特許番号：特許第4045682号
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】内部にエキシマランプが設けられ、不活性ガスが導入されるランプハウスを処理チャンバ内に配設し、この処理チャンバに配置した基板の表面に前記エキシマランプからの紫外線を照射することによって、この基板に対して所定の処理を行わせる基板処理装置において、 前記処理チャンバにはガス供給手段が接続して設けられており、 このガス供給手段は、不活性ガス供給手段及びエア供給手段と、これら不活性ガス供給手段及びエア供給手段からの不活性ガスとエアとが供給されるミキシングチャンバとを備え、このミキシングチャンバには、前記ランプハウスと前記基板の表面との間の空間に向けてこれら不活性ガスとエアとの混合ガスを流出させる流出口が形成され、 前記ガス供給手段は、さらに前記不活性ガス供給手段及びエア供給手段からの供給流量を調整することによって、不活性ガスとエアとの混合比を調整する混合比調整機構を備えており、 さらに前記処理チャンバには排気部通路を設ける 構成としたことを特徴とする紫外線照射による基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B01J 19/12 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/304 645 D ,  B01J 19/12 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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