窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112908
特許番号：特許第3063756号
出願日： 1999年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n側窒化物半導体層とp側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、InaGa1-aN(0≦a<1)層を有する多重量子井戸構造であり、前記n側窒化物半導体層が、n型不純物を含むn側コンタクト層と、n型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成を有しかつn型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層を含む少なくとも2種類の窒化物半導体層が積層されてなり、前記n側コンタクト層上に形成されたn側多層膜層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：