特許
J-GLOBAL ID:201103057204564561
グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
磯野 道造
, 伊藤 政幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-148308
公開番号(公開出願番号):特開2011-006265
出願日: 2009年06月23日
公開日(公表日): 2011年01月13日
要約:
【課題】エピタキシャルグラフェン層を他の任意の基板上に再現性よく転写させるグラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法を提供する。【解決手段】グラフェン層の剥離方法において、第1の基板の表面にグラフェン層が形成される工程と、前記グラフェン層の表面に金属層が形成される工程と、前記第1の基板と前記金属層との間で張力が加えられ、前記グラフェン層が前記第1の基板から剥離される工程とを備える。【選択図】図3
請求項(抜粋):
第1の基板の表面にグラフェン層が形成される工程と、
前記グラフェン層の表面に金属層が形成される工程と、
前記第1の基板と前記金属層との間で張力が加えられ、前記グラフェン層が前記第1の基板から剥離される工程と
を備えることを特徴とするグラフェン層の剥離方法。
IPC (5件):
C01B 31/04
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
, H01L 29/786
FI (5件):
C01B31/04 101Z
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310E
, H01L29/78 618B
Fターム (31件):
4G146AA02
, 4G146AB07
, 4G146AD30
, 4G146BA08
, 4G146BC03
, 4G146BC04
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146CA02
, 4G146CA12
, 4G146CB01
, 4G146CB08
, 4G146CB12
, 4G146CB15
, 4G146CB17
, 4G146CB37
, 4G146CB38
, 5F110AA16
, 5F110AA26
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110EE08
, 5F110EE14
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG01
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110QQ14
引用特許: