半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207229
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026442
特許番号：特許第3646302号
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】発振波長に対して透明な基板と、この基板に積層された半導体層とを備えると共に、その積層方向に対して垂直な方向に対向する一対の共振器端面を有する半導体レーザであって、前記一方の共振器端面に、前記半導体層および基板に対応して射出側の反射膜を有し、この反射膜は、その屈折率がレーザ光の発振波長において実効屈折率と前記基板の屈折率との間の中間付近の値であり、かつ、その膜厚がレーザ光の発振領域での反射率が極小値となり、前記基板に対応する領域での反射率が極大値となる値に設定されていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1件)：