特許
J-GLOBAL ID：201103057452648976
露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102282
特許番号：特許第3949853号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 露光装置によりマスク上の回路パターンをウェハに形成されたレジストに転写する際の露光量及びフォーカスの設定を行う露光装置の制御方法において、
前記マスクには、ウェハ上での実効的な露光量とフォーカスをそれぞれ別々に分離してモニタするための露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークが配置され、
前記露光量モニタマークは、透過する露光光の照射強度分布が一方向に単調に変化する露光量モニタ部を含み、
前記フォーカスモニタマークは、中央部よりも先端部の幅が短く形成された菱形状のマークを1つ又はそれ以上同一方向にならべて配置した第1のマークと、前記第1のマークを所望の角度だけ回転して配置した第2のマークとの2つの部分で構成されたマーク群からなり、
前記露光量モニタマーク及びフォーカスモニタマークを前記レジストに転写し、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンを形成する工程と、
露光後、或いは露光後の加熱後、加熱後の冷却工程中または冷却終了後の工程、現像中、或いは現像後の少なくともどこか1ヶ所において、露光量モニタパターン及びフォーカスモニタパターンの形状を測定する計測工程と、
あらかじめ前記露光量モニタマークを用いて得られたレジスト上の実効的な露光量と前記露光量モニタパターンの形状との関係と、前記露光量モニタパターンの形状についての測定結果とから実効的な露光量を求める工程と、
前記露光装置に設定された露光量設定値と実効的な露光量との差を算出する工程と、
あらかじめ前記実効的な露光量毎に前記フォーカスモニタマークを用いて得られた方向も含めたフォーカスのずれ量とフォーカスモニタパターンの形状との関係と、前記フォーカスモニタパターンの形状についての測定結果とから方向も含めたフォーカスのずれ量を求める工程と、
算出された前記差及び求められた前記方向も含めたフォーカスのずれ量に応じて前記露光装置の露光量設定値及びフォーカス設定値を変更する工程とを含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, G03F 7/207 ( 200 6.01)
, G03F 1/08 ( 200 6.01)
H01L 21/30 516 D
, H01L 21/30 526 Z
, G03F 7/207 H
, G03F 1/08 M
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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