処理装置及び処理システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：佐藤一雄 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 武林茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284094
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093787
特許番号：特許第4553471号
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面に酸化膜が形成された被処理体が内部に配置される処理容器と、この処理容器内にNおよびHを含むガスを活性化させた第1のガスを供給する第1ガス供給口と、この第1のガスによって活性化されるNF3ガスを供給する第2ガス供給口とを備え、前記第1のガスによって前記NF3ガスを活性化させ、活性化された前記NF3ガスを前記被処理体の表面の前記酸化膜と反応させて、Si、N、H、Fの混合した生成膜を形成することにより前記被処理体を処理する処理装置において、前記第1ガス供給口は前記処理容器の壁部に前記処理容器内に向かって設けられ、前記第2ガス供給口は前記第1ガス供給口が設けられている前記処理容器の壁部に前記第1ガス供給口の内周面に向かって設けられていることを特徴とする処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/302 101 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-053927
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-019976 出願人：富士通株式会社
表面処理方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-169091 出願人：ジェームス・ダブリュー・ミッツェル

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