紫外発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280610
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】発光スペクトルの単色性と低抵抗性を大きく損なうことなく、紫外発光ダイオードの発光効率を向上する。【解決手段】AlxGa1-xN(x>0.1)層をn型クラッド層4、p型クラッド層5、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層2、AlzGa1-zN(y>z>0)層を量子井戸構造1の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型クラッド層4と量子井戸構造1との間にn型ブロッキング層6としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型クラッド層5と量子井戸構造1との間にp型ブロッキング層7としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有する。

請求項（抜粋）：

AlxGa1-xN(x>0.1)層をクラッド層、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層、AlzGa1-zN(y>z>0)層を上記量子井戸構造の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有することを特徴とする紫外発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Fターム (20件)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA92 , 5F041FF16 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物系半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-021333 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370898 出願人：三洋電機株式会社
窒化物半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-290218 出願人：日亜化学工業株式会社

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