特許
J-GLOBAL ID：200903047308507183

紫外発光ダイオード

発明者：
西田 敏夫

西田 敏夫 について

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小林 直樹

小林 直樹 について

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斎藤 久夫

斎藤 久夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080891
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280610
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】発光スペクトルの単色性と低抵抗性を大きく損なうことなく、紫外発光ダイオードの発光効率を向上する。【解決手段】AlxGa1-xN(x>0.1)層をn型クラッド層4、p型クラッド層5、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層2、AlzGa1-zN(y>z>0)層を量子井戸構造1の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型クラッド層4と量子井戸構造1との間にn型ブロッキング層6としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型クラッド層5と量子井戸構造1との間にp型ブロッキング層7としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有する。
請求項（抜粋）：
AlxGa1-xN(x>0.1)層をクラッド層、AlyGa1-yN(x>y>0)層を量子井戸構造の障壁層、AlzGa1-zN(y>z>0)層を上記量子井戸構造の量子井戸層とする紫外発光ダイオードにおいて、n型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてn型Alx’Ga1-x’N(x'>x+0.1)層を、p型の上記クラッド層と上記量子井戸構造との間にブロッキング層としてp型Alx’’Ga1-x’’N(x''>x+0.1)層を有することを特徴とする紫外発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Fターム (20件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA92 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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