特許
J-GLOBAL ID：201103058523071094
不揮発性半導体メモリドライブ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-148853
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287242
出願日： 2010年06月30日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ10は、基板100と、基板100上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、基板100上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラ103と、メモリコントローラ103と不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサ101とを備え、メモリコントローラ103は、温度センサ101により検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを外部に転送する際の転送速度、又は自己と複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、
前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、
前記メモリコントローラと前記複数の不揮発性半導体メモリのうち1つの前記不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサとを備え、
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、前記複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを前記外部に転送する際の転送速度、又は自己と前記複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させることを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブ
IPC (5件)：
G06F 1/20
, G06F 3/08
, G06F 12/00
, G06F 12/16
, G06F 3/06
G06F1/00 360D
, G06F3/08 H
, G06F1/00 360B
, G06F12/00 564C
, G06F12/00 597U
, G06F12/16 330D
, G06F3/06 304N
5B018GA07
, 5B018MA23
, 5B018NA06
, 5B018QA01
, 5B060CC01
, 5B065BA05
, 5B065CE05
, 5B065EA11
, 5B065EK00
