特許

J-GLOBAL ID：201103058578271742

表面処理方法及び表面処理装置

発明者： 豊田 紀章 ,  山田 公 ,  成島 正樹 ,  原島 正幸 ,  森崎 英介
出願人/特許権者： 兵庫県 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-120920
公開番号（公開出願番号）：特開2011-246761
出願日： 2010年05月26日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：

【課題】基板等の表面の平坦性を向上させる表面処理方法を提供する。【解決手段】窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、を有することを特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、 窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、 を有することを特徴とする表面処理方法。

IPC (1件)：

C23C 14/02

FI (1件)：

C23C14/02 B

Fターム (4件)：

4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029DE02 ,  4K029FA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SiC基板表面の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-094638   出願人：三井造船株式会社
• カーボン製モニタウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-088066   出願人：三井造船株式会社
• イオンビーム加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-124486   出願人：財団法人電力中央研究所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-012875   出願人：NECエレクトロニクス株式会社