特許
J-GLOBAL ID：201103058931365195
絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000162
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200786
特許番号：特許第3601988号
出願日： 1999年01月04日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】少なくとも真空チャンバー内表面にプラズマ気相成長法によりコーティング膜を形成する工程と、原料ガスを導入してプラズマ気相成長法により前記真空チャンバー内に載置された基板上に絶縁膜を形成する工程とを備え、前記基板上に絶縁膜を形成する工程において前記チャンバー内壁にコーティングした前記コーティング膜をエッチングし、このエッチングにより発生したガスを原料ガスの一部として前記基板上に前記絶縁膜を堆積させ、且つこの工程中は、前記コーティング膜が残存して前記チャンバー内壁が露出しないようにすることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, H01L 21/316 X
