特許
J-GLOBAL ID：201103059002284420
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208183
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035990
特許番号：特許第4012652号
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上面にコンデンサを収容する凹部を有し、該凹部の開口周辺に形成された配線導体と、前記凹部の底面に形成された電源供給端子と、前記電源供給端子上であって前記凹部内の底面に形成された導電性接着剤または接続用金属からなる導体層と、を有する絶縁基体と、
前記凹部内に収容され、前記導体層を介して前記電源供給端子に一方の端子電極が電気的に接続されたコンデンサと、
前記絶縁基体上に前記凹部の開口を覆うように取着され、前記コンデンサの他方の端子電極または前記配線導体にそれぞれ電気的に接続される貫通導体が形成された実装用配線基板と、
該実装用配線基板上に搭載され、前記貫通導体を介して電源電極が前記コンデンサの他方の端子電極に、信号電極が前記絶縁基体の配線導体にそれぞれ電気的に接続された半導体集積回路素子と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/00 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 25/00 B
, H01L 23/12 B
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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