特許
J-GLOBAL ID：201103059424061652
パワー半導体スイッチ素子の保護装置および保護方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-285935
公開番号（公開出願番号）：特開2011-130564
出願日： 2009年12月17日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】高電圧で利用するIGBT等の半導体スイッチ素子の短絡保護装置において、電流センス用のスイッチ素子が存在しなくても、簡単かつ誤動作の可能性小さく、短絡状態を検出し、半導体スイッチ素子を未然に破壊から保護する。【解決手段】導通中のIGBT1の電流の大きさを、コレクタ側の電圧から高抵抗2と検出用の抵抗3,4を用いた分圧により、電圧情報として検出し、その電圧値からIGBT1での電力損失を推定し、この電力損失に基づく発熱量を推定し、推定発熱量が所定値を超えたとき、ゲート信号電圧を漸減するように絞り込んでIGBT1を保護する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
パワー半導体スイッチ素子の両端子間に設けた抵抗分圧回路による端子電圧検出手段と、該端子電圧検出手段の出力値からパワー半導体スイッチ素子のオン中における電力損失を推定する電力損失推定手段と、該電力損失推定手段によって推定した電力損失が所定値を上回ったことに応じて前記電力用半導体スイッチ素子の電力損失を低減させる保護手段を備えたことを特徴とするパワー半導体スイッチ素子の保護装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5H740BA11
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH05
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM08
, 5H740MM12
, 5H740NN17
