p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207942
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035796
特許番号：特許第3555512号
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】気相成長法によって、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成し、得られたp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金と共に熱処理することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金と共に熱処理するに際し、上記p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体と上記水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金を同じ試料台の上に並べて載置し熱処理することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：