窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小池隆彌 , 田畑昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015304
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134741
出願日： 2007年01月25日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、SiO2層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、SiO2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるSiまたはO2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。【解決手段】本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、前記成長面の少なくとも凸部上に形成された前記窒化物半導体膜とを有し、前記凹部は、前記基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする窒化物半導体構造。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , C30B 25/04 , C30B 29/38

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , C30B25/04 , C30B29/38 D

Fターム (44件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TB02 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045EB15

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279546 出願人：日亜化学工業株式会社
トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-553988 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
六方晶半導体の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-189108 出願人：株式会社東芝

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