特許
J-GLOBAL ID：201103060137813447

不揮発性強誘電体メモリ装置

発明者：
姜 煕 福

姜 煕 福 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314353
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268558
特許番号：特許第3756714号
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のサブセルアレイと、前記各サブセルアレイを横切る方向に形成される複数のメイングローバルビットライン及び少なくとも一対の参照グローバルビットラインと、前記各メイングローバルビットライン及び参照グローバルビットラインに対応してそれぞれのサブセルアレイ内に形成されるメインローカルビットライン及び参照ローカルビットラインと、 前記各ローカルビットラインと該グローバルビットラインの間に構成されるスイッチング素子とを含むメインセルアレイ部; 前記メインセルアレイ部の下部または上部に形成され、前記一対の参照グローバルビットラインのうち、1本のビットラインを介して印加されるグローバルビットライン信号をシフティングして参照電圧を出力するレベルシフト及び前記グローバルビットライン信号によって前記参照グローバルビットラインをプルダウンさせるプルダウンコントローラを含む参照センスアンプで構成される参照ビットラインコントローラ; 前記参照ビットラインコントローラの一側に形成され、前記メイングローバルビットラインごとに連結されて前記参照電圧を受けて該グローバルビットラインを介して印加される信号をセンシングする複数のメインセンスアンプで構成されるメインビットラインコントローラ; 前記メインセルアレイ部の一側に形成されて、前記各サブセルアレイの各単位セルに連結される一対の第1及び第2スプリットワードラインを駆動させるためのスプリットワードライン駆動部を含んで構成されることを特徴とする非揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (1件)：
G11C 11/22 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11C 11/22 501 A ,  G11C 11/22 501 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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