特許
J-GLOBAL ID：201103060334594870
Bi系2223酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法及びBi系2223酸化物超電導体の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158635
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344525
特許番号：特許第4215180号
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】下記式(1)で表されるBi-2223相の結晶と同じ組成を有し、
下記式(2)で表される組成を有する低温相の結晶と、Bi-2201相及び/又はBi,Pb,Sr,CaもしくはCuの少なくとも1種以上の酸化物からなる非超電導物質とからなる、Bi系2223酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法であって、
当該Bi系2223酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造工程における1次仮焼工程において、
1次仮焼の際の最高温度を720°C〜840°Cの間にある、第1の1次仮焼温度に設定して、第1の1次仮焼粉を得、
次に、1次仮焼の際の最高温度は720°C〜840°Cの間にあるが、前記第1の1次仮焼粉とは1次仮焼の際の最高温度が1°C以上異なるn種類の1次仮焼粉を得、
前記第1の1次仮焼粉と、前記n種類の1次仮焼粉とを混合粉砕して、1次仮焼粉の混合物を得、
当該1次仮焼粉の混合物へ、温度720〜840°C、0.1〜100時間の2次仮焼を行った後、混合粉砕して、2次仮焼粉を得、
当該2次仮焼粉へ、温度700〜800°C、0.1〜100時間の熱処理を行って、Bi系2223酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉を得る、ことを特徴とする、Bi系2223酸化物超電導体製造に用いる仮焼粉の製造方法。
但し、
Bia-Pbb-Src-Cad-Cu3-Ox...(1)
但し、(l)式中の各成分のモル数a〜xは、Cuのモル数を3として規格化したとき、次の値を有する。
1.20≦a≦2.50
0≦b≦0.80
1.20≦c≦3.00
1.20≦d≦3.00
9.00≦x≦l0.00
Bia-Pbb-Src-Cad-Cu2-Ox ...(2)
但し、(2)式中の各成分のモル数a〜xはCuのモル数を2として規格化したとき、次の値を有する。
l.50≦a≦2.50
0≦b≦0.05
1.50≦c≦2.50
0.50≦d≦1.50
7.00≦x≦8.00
nは1以上の正の整数である。
IPC (3件)：
C01G 29/00 ( 200 6.01)
, C01G 1/00 ( 200 6.01)
, C04B 35/45 ( 200 6.01)
C01G 29/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, C04B 35/00 ZAA K
