特許
J-GLOBAL ID：201103060341991206
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114583
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307008
特許番号：特許第4190084号
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
該半導体基板上に設けられた第1絶縁膜と、
該第1絶縁膜上に設けられた金属フューズ素子と、
該金属フューズ素子上に設けられた第2絶縁膜と、
該金属フューズ素子の上方に設けられ、前記第2絶縁膜中に形成されたホールを介して該金属フューズ素子に接続され、上面が前記第2絶縁膜から露出し、該金属フューズ素子と同一部材からなる金属プラグとを有し、
該金属プラグに直接レーザが照射されることで前記金属フューズ素子が溶断されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 21/82 F
, H01L 21/82 R
, H01L 27/10 681 Z
