半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材及び半導体ダイヤモンドの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：梶良之 , 須原誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201997
公開番号（公開出願番号）：特開2002-018267
特許番号：特許第4421745号
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高圧合成法による半導体ダイヤモンドの製造に用いられる黒鉛材であって、前記黒鉛材がホウ素又はホウ素化合物を含有しており、前記黒鉛材のホウ素元素含有量が、0.1〜15質量%である半導体ダイヤモンド合成用黒鉛材。

IPC (3件)：