半導体受光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松元洋 , 光石俊郎 , 田中康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223956
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053328
特許番号：特許第3710039号
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光吸収層が前記光吸収層より小さな屈折率を有する第一の半導体層を含む上部半導体層と前記第一の半導体層より屈折率が大きい第二の半導体層を含む下部半導体層で挟まれた積層構造を有し、前記下部半導体層側から入射した入射光が、前記光吸収層を層厚方向に対し斜めに通過し、前記第一の半導体層の前記光吸収層側の界面で全反射し、前記光吸収層を再度斜めに通過することにより、光吸収長が増大することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：