半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304262
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127149
特許番号：特許第4631113号
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板(1)の表面(1a)側に形成された素子(3)が、前記半導体基板(1)の内部まで達する分離溝(2)によって区画され、前記分離溝(2)内が絶縁部材(2a)で埋設されたものを用意する工程と、前記半導体基板(1)の裏面(1b)側から前記絶縁部材(2a)の底部が突出するまで前記半導体基板(1)を薄厚化する第1の工程と、前記絶縁部材(2a)が突出した前記裏面(1b)において、前記分離溝(2)で区画された領域を単位として、一部の領域を、前記裏面(1b)を絶縁層(4)を介して支持体(6)と接合して、前記突出した絶縁部材(2a)が前記絶縁層(4)に埋め込まれた状態にし、その他の領域を、前記半導体基板(1)と前記支持体(6)との導通を確保して接合する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ( 200 6.01) , H01L 21/02 ( 200 6.01) , H01L 27/12 ( 200 6.01) , H01L 21/76 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/76 D , H01L 21/02 B , H01L 27/12 F

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336549 出願人：松下電子工業株式会社
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-000308 出願人：ソニー株式会社
特開昭60-149146

全件表示

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336549 出願人：松下電子工業株式会社
SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-000308 出願人：ソニー株式会社
特開昭60-149146

全件表示

前のページに戻る