特許
J-GLOBAL ID：201103061839328144

半導体装置の製造方法

発明者：
西村 宏

西村 宏 について

, 
鐘ヶ江 健司

鐘ヶ江 健司 について

, 
立岩 健二

立岩 健二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185597
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015596
特許番号：特許第3666560号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の表面上にゲート酸化膜を形成した後、ゲート酸化膜上に導電膜及び第1の絶縁膜を順次形成する工程と、第1の絶縁膜及び導電膜をエッチングしてゲート電極を形成した後、全面にわたる第2の絶縁膜を形成する工程と、半導体基板に電圧を印加しない堆積方法を採用して第2の絶縁膜上に第4の絶縁膜を形成する工程と、半導体基板に電圧を印加する堆積方法を採用して第4の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成した後、第2の絶縁膜をエッチングストッパとしながら第3の絶縁膜をエッチングしてゲート電極間にコンタクトホールを開口する工程と、コンタクトホールの底部に露出した第2の絶縁膜とゲート酸化膜とをエッチングする工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 105 Z ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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