特許
J-GLOBAL ID：201103062501063109
研磨液及び研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-081837
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216581
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む層を有する被研磨体の化学的機械的研磨において、ポリシリコン以外のケイ素系材料を含む層の研磨速度が迅速であり、ポリシリコンを含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液を提供する。【解決手段】(A)〜(C)で示される成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。(A)負のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子(B)リン酸又は下記一般式(1)又は(2)で表される有機ホスホン酸化合物(C)下記式(I)〜(III)で表される基のうち少なくとも一つを有するアニオン性界面活性剤 R2-C(R3)-(PO3H2)2 (1) R4-N(R5)m-(CH2-PO3H2)n (2) -PO3X2 (I) -OPO3X2 (II) -COOX (III)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第1層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも1種を含む第2層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、下記(A)〜(C)で示される成分を含有し、pHが1.5〜7.0であり、且つ、前記第1層に対して前記第2層を選択的に研磨しうる研磨液。
(A)負のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子
(B)リン酸又は下記一般式(1)又は(2)で表される有機ホスホン酸化合物
(C)下記式(I)、式(II)、及び式(III)で表される基のうち少なくとも一つを有するアニオン性界面活性剤
(B)
R2-C(R3)-(PO3H2)2 (1)
R4-N(R5)m-(CH2-PO3H2)n (2)
一般式(1)中、R2及びR3は各々独立に、水素原子、水酸基、又は炭素数1〜6の置換又は無置換のアルキル基を表す。アルキル基が置換されている場合の置換基は、水酸基、アミノ基、カルボキシ基、又はフェニル基である。
一般式(2)中、R4は炭素数1〜6の置換又は無置換のアルキル基、-(CH2-PO3H2)n、又は-A-N(R5)p-(CH2-PO3H2)qを表し、Aは単結合又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R5は炭素数1〜6の置換又は無置換のアルキル基、又は-(CH2-PO3H2)nを表す。mは0又は1を表し、nは1又は2を表す。ただしm+n=2である。pは0又は1を表し、qは1又は2を表す。ただしp+q=2である。
(C)
-PO3X2 (I)
-OPO3X2 (II)
-COOX (III)
式(I)〜式(III)中、Xはそれぞれ独立に、水素原子、リチウム、ナトリウム、カリウム、又は4級アンモニウムカチオンを表す。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 621D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 5F057AA17
, 5F057AA28
, 5F057BA18
, 5F057BB14
, 5F057BB16
, 5F057BB19
, 5F057BB29
, 5F057CA12
, 5F057DA03
, 5F057EA01
, 5F057EA07
, 5F057EA16
, 5F057EA17
, 5F057EA26
, 5F057EA27
, 5F057EA32
