特許
J-GLOBAL ID：201103062757519630
多層回路基板および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 順三
, 中村 盛夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245656
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217550
特許番号：特許第4592891号
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達する開口に導電性物質が充填されてなるビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされることにより形成された多層回路基板において、
前記積層された複数の回路基板のうち、最も外側に位置する一方の回路基板の表面には、前記ビアホールの直上に位置してそのビアホールに電気的に接続される導電性バンプが形成され、最も外側に位置する他方の回路基板の表面には、前記ビアホールの直下に位置してそのビアホールに電気的に接続される導電性のピンまたは導電性のボールが配設されており、
前記各回路基板は、前記絶縁性硬質基材の開口のビアホールに電気的に接続されるとともにその回路基板の表面から突出し、加熱プレスにより接着剤層を貫通するとともに熱変形する突起状導体を有していることを特徴とする多層回路基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
, H05K 1/11 ( 200 6.01)
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 G
, H05K 3/46 N
, H01L 23/12 B
, H01L 23/12 N
, H05K 1/11 N
