特許
J-GLOBAL ID:200903034532743270

多層回路基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-162688
公開番号(公開出願番号):特開平9-116273
出願日: 1996年06月24日
公開日(公表日): 1997年05月02日
要約:
【要約】【課題】 ビアの導電性が十分確保され、単位基板とビアとの間で熱膨張、熱収縮がマッチングし、クラックの発生のない信頼性に優れる多層回路基板を提供する。【解決手段】 熱硬化性樹脂層14の片面に金属層13が形成され、他の片面に熱可塑性樹脂層16が形成された基板材料11に設けられたビアホール18内に、導電材料入りの導電性熱可塑性樹脂が充填されてビア20に形成されると共に、金属層13がビア20と接続する配線パターン22に形成された単位基板12が複数枚積層され、熱可塑性樹脂層16により各単位基板が接着されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
熱硬化性樹脂フィルムの片面に金属層が形成され、他の片面に熱可塑性樹脂層が形成された基板材料に設けられたビアホール内に、導電材料入りの導電性熱可塑性樹脂が充填されて成るビアが形成されていると共に、前記金属層が前記ビアと接続する所要の配線パターンに形成された単位基板が複数枚積層され、前記熱可塑性樹脂層により各単位基板が接着されていることを特徴とする多層回路基板。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/08
FI (7件):
H05K 3/46 Z ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 15/08 J
引用特許:
審査官引用 (10件)
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