特許
J-GLOBAL ID：201103063046636525
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011449
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216348
特許番号：特許第4011219号
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】白金、イリジウム、酸化イリジウム、ルテニウム、酸化ルテニウム、SrRuO3から選ばれる第一の導電層の上に金属酸化物からなるキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、
前記キャパシタ絶縁膜の上に、白金、イリジウム、酸化イリジウム、ルテニウム、酸化ルテニウム、SrRuO3から選ばれる第二の導電層を積層形成する工程と、
前記第二の導電層の上に第一の絶縁膜を形成し、前記第一の絶縁膜を所定の形状にパターニングする工程と、
パターニングされた前記第一の絶縁膜をマスクにして、前記第二の導電層を除去し、前記キャパシタ絶縁膜の上面の一部を露出させる工程と、
前記第一の絶縁膜及び前記第二の導電層を覆う様に形成すると共に、露出した前記キャパシタ絶縁膜の上面に第二の絶縁膜を形成する工程と、
前記第二の絶縁膜に形成されたレジストをマスクにして前記キャパシタ絶縁膜の上面に形成された前記第二の絶縁膜を除去すると共に、前記第一の絶縁膜及び前記第二の導電層を覆う様に形成した前記第二の絶縁膜を残存させる工程と、
残存した前記第二の絶縁膜をマスクにして前記キャパシタ絶縁膜を除去する工程と、
残存した前記第二の絶縁膜をマスクにして前記第一の導電層を除去する工程と、
を具備する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 651
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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