半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174424
公開番号（公開出願番号）：特開2002-369552
特許番号：特許第3411025号
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】消費電力が大きい動作モードとこの動作モードより消費電力が小さい待機モードの2種のモードを持つ半導体集積回路と、第1の直流電圧を第2の直流電圧に降圧して前記半導体集積回路に給電する直流電圧変換回路とを同一チップ上に有する半導体集積回路装置であって、前記半導体集積回路は、絶対値が第2の直流電圧の1/2より小さい第1のしきい値電圧を持つpMISトランジスタと、第2の直流電圧の1/2より小さい第2のしきい値電圧を持つnMISトランジスタとを含むものであり、前記直流電圧変換回路は、絶対値が第1のしきい値電圧の絶対値より大きく、且つ第1の直流電圧の1/2より小さい第3のしきい値電圧を持つpMISトランジスタと、第2のしきい値電圧より大きく、且つ第1の直流電圧の1/2より小さい第4のしきい値電圧を持つnMISトランジスタとを含むものであり、前記直流電圧変換回路における出力電力と最終段効率、更に第3のしきい値電圧を持つpMISトランジスタ及び第4のしきい値電圧を持つnMISトランジスタのオン抵抗との関係から、90%以上の最終段効率が得られるオン抵抗を求め、このオン抵抗を基に第3及び第4のしきい値電圧と待機電力との関係を求め、前記直流電圧変換回路における第3及び第4のしきい値電圧を、0.01μW以下の待機電力に対応する値に設定してなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H02M 7/538 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H02M 7/48

FI (4件)：

H02M 7/538 A , H02M 7/48 E , H01L 27/04 F , H01L 27/04 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

直流電圧変換回路とこれを用いた集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-235717 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176629 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-236371 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (4件)

直流電圧変換回路とこれを用いた集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-235717 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-176629 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-236371 出願人：シャープ株式会社

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