半導体回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334822
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156619
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】製造コスト及びレイアウト面積の増加を必要最小限に抑制しながら、高速化及び低消費電力化を実現できる半導体回路を提供する。【解決手段】ソースにそれぞれ異なる電圧が印加され、ゲートにモード制御信号が入力されるpMOSトランジスタP2とP3によって構成されているバイアス電圧供給回路によって、モード制御信号に応じて異なるレベルのバイアス電圧を生成し、pMOSトランジスタのnウェルに供給する。動作時に、動作電圧とほぼ同じレベルのバイアス電圧をpMOSトランジスタのnウェルに供給し、待機時に動作電圧より高いバイアス電圧をpMOSトランジスタのnウェルに供給することによって、動作時トランジスタの駆動電流を大きく維持でき、待機時トランジスタのリーク電流を抑制でき、高速化と低消費電力化を実現できる。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスタを含む論理回路と、制御信号に応じてそれぞれ電圧の異なる第1のバイアス電圧又は第2のバイアス電圧を上記MOSトランジスタの基板領域に選択的に供給するバイアス電圧供給回路と、を有する半導体回路。

Fターム (13件)：

5J056AA00 , 5J056BB02 , 5J056BB17 , 5J056BB18 , 5J056BB57 , 5J056BB59 , 5J056DD13 , 5J056DD29 , 5J056EE04 , 5J056FF08 , 5J056KK01 , 5J056KK02 , 5J056KK03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071806 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280388 出願人：三菱電機株式会社
MOSトランジスタのボディ効果の制御
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342205 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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