薄膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273640
特許番号：特許第4515550号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応容器内に、原料ガスによる基板への成膜に先だって、原料ガスによる成膜時と同一の圧力で調圧ガスを供給し、次に、調圧ガスにより調圧された反応容器内に、予め加熱された基板をロードロック室から搬送し、続いて、調圧ガスの供給を止めて反応容器内に原料ガスを供給し、原料ガスの圧力が所定の圧力に達した時点で高周波電力をシャワープレートに印加して、シャワープレートの温度の変動を抑えながら基板に膜を成膜することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (2件)：