バイアススパッタリング装置及びバイアススパッタリング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115051
特許番号：特許第4673478号
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】排気系を有するスパッタチャンバーと、被スパッタ面がスパッタチャンバー内に露出するようにして設けられた導電材料より成るターゲットと、ターゲットの被スパッタ面を臨む空間に電界を設定してスパッタ放電を生じさせるスパッタ電源と、スパッタ放電によってターゲットから放出されたスパッタ粒子が到達するスパッタチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、基板にバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備え、基板にバイアス電圧を印加しながらターゲットからのスパッタ粒子を基板の表面に到達させて前記導電材料の薄膜を作成するバイアススパッタリング装置において、前記基板ホルダーは、金属製のホルダー本体と、ホルダー本体の前記ターゲットに近い側である前側に設けられた誘電体ブロックとから構成され、誘電体ブロックの前記ターゲットに近い側の面である前面は、保持される基板が接触する基板保持面であって、誘電体ブロック内には前記バイアス電圧のための電圧が印加するためのバイアス電極が設けられており、前記誘電体ブロックの周囲に、前記スパッタチャンバー以外の接地電位に維持された部材を有しており、前記誘電体ブロックと前記接地電位に維持された部材との間に、前記接地電位に維持された部材の表面に堆積する膜と、前記基板保持面に堆積する膜とが連続しないようにする凹部である膜連続防止用凹部を有しており、前記接地電位に維持された部材は、前記誘電体ブロックの側方での放電を防止するホルダーシールドであり、前記誘電体ブロックの周囲を取り囲むようにして、ホルダー用防着シールドが設けられており、前記ホルダーシールドは、前記誘電体ブロックの側の側面である内側面に段差を有しており、前記膜連続防止用凹部は、このホルダーシールドの内側面の段差と、前記誘電体ブロックの側面とによって形成されていることを特徴とするバイアススパッタリング装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) , C23C 14/44 ( 200 6.01) , H01L 21/203 ( 200 6.01) , H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/34 T , C23C 14/44 , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-095739
特開昭62-095739
特開昭63-157862

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