特許
J-GLOBAL ID：201103063750580187
半導体スピンデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-138556
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287629
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】出力電圧を増加可能な半導体スピンデバイスを提供する。【解決手段】半導体層10の第1領域上に設けられた第1ピンド層1Bと、半導体層の第2領域上に設けられた第2ピンド層2Bと、半導体層の第3領域上に設けられたフリー層3Bと、半導体層の第4領域上に設けられた電極層4とを備えたスピンデバイスあって、第1ピンド層1Bと第2ピンド層2Bの磁化の向きは互いに逆向きであり、半導体層10と第1及び第2ピンド層1B,2Bとの間には、それぞれ第1及び第2トンネル障壁1A,2Aが介在し、第1ピンド層1Bは、前記第2ピンド層2Bよりもフリー層3Bから遠く、第1ピンド層1Bから半導体層10に向けて電子を注入し、第1ピンド層1Bと第2ピンド層2Bとの間の半導体層内に電子を流すための電極を第1ピンド層1Bと第2ピンド層2Bにそれぞれ電気的に接続し、電極層4とフリー層3Bとの間の電圧を測定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層の第1領域上に設けられた第1ピンド層と、
前記半導体層の第2領域上に設けられた第2ピンド層と、
前記半導体層の第3領域上に設けられたフリー層と、
前記半導体層の第4領域上に設けられた電極層と、
を備えた半導体スピンデバイスあって、
前記第1ピンド層と前記第2ピンド層の磁化の向きは互いに逆向きであり、
前記半導体層と前記第1及び第2ピンド層との間には、それぞれ第1及び第2トンネル障壁が介在し、
前記第1ピンド層は、前記第2ピンド層よりも前記フリー層から遠く、
前記第1ピンド層から前記半導体層に向けて電子を注入し、前記第1ピンド層と第2ピンド層との間の前記半導体層内に電子を流すための電極を前記第1ピンド層と前記第2ピンド層にそれぞれ電気的に接続し、
前記電極層と前記フリー層との間の電圧を測定する、
ことを特徴とする半導体スピンデバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/82
, G11B 5/39
, G01R 33/09
H01L29/82 Z
, G11B5/39
, G01R33/06 R
2G017AD55
, 2G017AD56
, 2G017AD61
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA21
, 5D034BB14
, 5D034CA08
, 5F092AA02
, 5F092AB01
, 5F092AB02
, 5F092AC21
, 5F092BD03
, 5F092BD04
, 5F092BD14
, 5F092BD15
, 5F092BD19
, 5F092BE13
, 5F092BE21
審査官引用 (3件)
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磁気ヘッド及び磁気記録装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-323468
出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
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磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-002577
出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
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磁気再生ヘッド
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-126363
出願人：株式会社日立製作所
引用文献：
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