電界放射型電子源およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239066
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164115
特許番号：特許第3090445号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化若しくは窒化した多孔質多結晶半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された導電性薄膜とを備え、導電性薄膜を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより、導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし導電性薄膜を通して放出される電界放射型電子源であって、導電性基板は前記一表面側にストライプ状に形成された導電体層を有し、強電界ドリフト層は導電体層に重複するストライプ状に形成され、導電性薄膜は強電界ドリフト層に交差する方向にストライプ状に形成されてなることを特徴とする電界放射型電子源。

IPC (4件)：