半導体装置、電子回路装置および製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168224
特許番号：特許第4045708号
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、前記半導体基板の一方の面である第1面側に形成された半導体素子と、前記半導体基板を搭載する絶縁基板と、前記半導体基板と前記絶縁基板との層間に形成され、前記半導体素子に電気的に導通する配線パターンと、前記絶縁基板に形成され、前記配線パターンに達するスルーホールと、前記スルーホール内の側面を被覆する絶縁層と、前記スルーホール内に前記絶縁層を介して形成され、前記配線パターンに接続し、導電体からなるスルーホール埋め込み部と、前記スルーホール埋め込み部に接続し、外部端子となるはんだバンプとを有する半導体装置。

IPC (1件)：