特許
J-GLOBAL ID：200903011284706320

バイアプラグアダプター

発明者：
ウィリアム・ジェイ・クラタノフ

ウィリアム・ジェイ・クラタノフ について

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ロバート・ジェイ・シューベルト

ロバート・ジェイ・シューベルト について

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ゲイル・アール・ティ・シューラー

ゲイル・アール・ティ・シューラー について

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斎藤 裕輔

斎藤 裕輔 について

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山崎 英男

山崎 英男 について

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安井 英明

安井 英明 について


出願人/特許権者：
ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー

ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568124
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524857
出願日： 1999年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：
【要約】回路は、第1表面および第2表面を備えた誘電体層を有する基板を含む。導電性層は、第1表面に形成される。傾斜バイアは、基板の誘電体層内に形成される。バイアは、第1の幅の第1開口部を第1表面に有し、第1の幅より大きい第2の幅の第2開口部を第2表面に有する。導電性プラグは、導電性層に接続する。プラグはバイア内に形成され、第1開口部に隣接する部分から第2開口部に向かって延在し、第2開口部に隣接してプラグ界面で終端する。導電性はんだボールは、プラグ界面に接続し、第2表面から突出するように延在する。
請求項（抜粋）：
第1表面および第2表面を有する誘電体層を備える基板と、 前記第1表面の導電性層とを含み、前記誘電体層および導電性層が可撓性回路を形成し、 前記誘電体層内に形成された傾斜バイアであって、前記バイアが、第1の幅の第1開口部を前記第1表面に有し、前記第1の幅より大きい第2の幅の第2の開口部を前記第2表面に有する傾斜バイアと、 前記導電性層に接続された導電性プラグであって、前記バイア内に形成され、前記第1開口部に隣接する部分から前記第2開口部に向かって延在し、前記第2開口部に隣接してプラグ界面で終端する導電性プラグと、 前記プラグ界面に接続され、前記第2表面から突出するように延在する導電性はんだボールと、を含む回路。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501 ,  H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 512
FI (3件)：
H01L 23/12 501 V ,  H05K 3/34 505 A ,  H05K 3/34 512 C
Fターム (5件)：
5E319AC02 ,  5E319AC03 ,  5E319BB04 ,  5E319CC70 ,  5E319CD04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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