特許
J-GLOBAL ID：201103064552804734

複合半導体装置

発明者：
福田 永吾

福田 永吾 について

, 
早坂 力

早坂 力 について


出願人/特許権者：
日本インター株式会社

日本インター株式会社 について


代理人 (1件)： 榊原 弘造
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323730
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144251
特許番号：特許第4329960号
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属放熱板(3)上に絶縁基板(4)を介して複数の半導体チップ(5)が搭載され、 金属放熱板(3)の外周部に、両端開口の絶縁樹脂ケース(2)の一方の開口端を嵌合させ、 絶縁樹脂ケース(2)の側壁(6A,6B,6C,6D)内にインサートモールドされた導体端子(7,8,9,10,11,120,130)の下端(7A,8A,9A,10A,11A,120A,130A)と半導体チップ(5)および絶縁基板(4)上の導体パターン(15)とをボンディングワイヤ(14)によって接続して成る複合半導体装置(1)において、 絶縁樹脂ケース(2)の第1側壁(6A)内の直流側負極導体端子(120)上に、交流側導体端子(9,10,11)を一定の間隔をおいて直流側負極導体端子(120)に対して直角に交差させて配置することにより、直流側負極導体端子(120)と交流側導体端子(9,10,11)とを積層構造にし、 第1側壁(6A)に対向する第2側壁(6B)内の直流側正極導体端子(130)上に、信号導体端子(7,8)を一定の間隔をおいて直流側正極導体端子(130)に対して直角に交差させて配置することにより、直流側正極導体端子(130)と信号導体端子(7,8)とを積層構造にしたことを特徴とする複合半導体装置(1)。
IPC (4件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01L 21/60 ( 200 6.01) ,  H01L 23/28 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 25/04 C ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/28 K
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM