パワー半導体モジュール及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163136
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353777
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】温度サイクルによる外部端子の接続不良を防止して電気的信頼性を向上させることができ、主電流経路のインダクタンスを減少させることによりパワー半導体素子のスイッチング時のサージ電圧を減少させてパワー半導体素子の誤動作や破壊を防止することができるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】パワー半導体モジュールにおいて、外部から主電流を入力する外部端子D1、内部のパワー半導体素子から主電流を出力する外部端子S2、主電流を入出力する外部端子S1/D2が外装ケースにインサート成型される。外部端子S1/D2のボンディング領域61には外部端子D1、S2のそれぞれのボンディング領域71が対向して配設されている。外部端子S1/D2とパワー半導体素子とを接続するボンディングワイヤ51に沿って外部端子D1、S2のそれぞれとパワー半導体素子とを接続するボンディングワイヤ52が配設される。

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子を内部に収納する外装ケースにインサート成型され、第1ボンディング領域を有し、外部から前記パワー半導体素子に主電流を入力するための第1外部端子と、少なくとも前記第1外部端子の一部に対向させて前記外装ケースにインサート成型され、第2ボンディング領域を有し、前記パワー半導体素子から外部に主電流を出力するための第2外部端子と、一端が前記第1ボンディング領域に電気的に接続され、他端が前記パワー半導体素子に直接的に又は間接的に電気的に接続された第1ボンディングワイヤと、一端が前記第2ボンディング領域に電気的に接続され、前記第1ボンディングワイヤに沿って他端が前記パワー半導体素子に直接的に又は間接的に電気的に接続された第2ボンディングワイヤとを備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 21/60 301 A

Fターム (7件)：

5F044AA02 , 5F044AA05 , 5F044AA07 , 5F044AA10 , 5F044AA18 , 5F044AA19 , 5F044AA20

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平3-179767
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-093802 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-172172 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (2件)

特開平3-179767
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-093802 出願人：株式会社日立製作所

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