特許
J-GLOBAL ID：201103065002719175
スピンバルブ型磁気抵抗効果素子及びそれを備えた薄膜磁気へッドとそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 松冨 豊
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-346930
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168416
特許番号：特許第3623418号
出願日： 1999年12月06日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により、磁化方向が固定された第1の固定磁性層と、前記第1の固定磁性層に非磁性中間層を介して形成され、前記第1の固定磁性層の磁化方向と反平行に磁化方向が揃えられた第2の固定磁性層と、この第2の固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層に対してトラック幅方向に磁界を印加する縦バイアス層と、前記固定磁性層、非磁性導電層、フリー磁性層に検出電流を与える一対のリード層とを備え、外部磁界の作用による前記フリー磁性層の磁化の変動に起因する電気抵抗値変化に基づいて前記外部磁界を検出するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であって、前記リード層からの検出電流が供給され、かつ、外部磁界が印加されていない状態において、前記フリー磁性層の磁化方向と前記第2の固定磁性層の磁化方向とのなす角度が実質的に90度とされてなり、 前記第2の固定磁性層の磁化方向はトラック幅方向と垂直方向に対して縦バイアス磁界方向から遠ざかる方向に角度θで傾斜されてなることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
