特許
J-GLOBAL ID:201103065691640971
窒化物系発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-219965
公開番号(公開出願番号):特開2001-044573
特許番号:特許第3439161号
出願日: 1999年08月03日
公開日(公表日): 2001年02月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の窒化物系半導体層と、該第1の窒化物半導体層上に形成され、前記第1の窒化物半導体層との接合界面を有する第2の窒化物半導体層と、前記接合界面を通って発光層に流れる電流の電流通路の幅を制限する電流狭窄層とを有する窒化物系発光素子において、前記接合界面は、フッ素の濃度が1×1010cm-2以上、2×1011cm-2以下であり、ステップ密度が3×104cm-1以上、5×105cm-1以下であることを特徴とする窒化物系発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01S 5/343
, H01L 33/00 C
引用特許: