特許

J-GLOBAL ID：201103065826173350

In-Ga-Zn-O系スパッタリングターゲット

発明者： 矢野 公規 ,  糸瀬 将之
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-262800
公開番号（公開出願番号）：特開2011-105995
出願日： 2009年11月18日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。【解決手段】In,Ga及びZnを含み、周囲よりもInの含有量が多い組織と、周囲よりもGa及びZnの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにIn、Ga及びZnの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。0.20≦In/(In+Ga+Zn)≦0.700.01≦Ga/(In+Ga+Zn)≦0.500.05≦Zn/(In+Ga+Zn)≦0.60【選択図】図2

請求項（抜粋）：

In,Ga及びZnを含み、周囲よりもInの含有量が多い組織と、周囲よりもGa及びZnの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (7件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  C23C14/08 C ,  C23C14/08 K ,  H01L21/363 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/285 S

Fターム (36件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA08 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA19 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA32 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB16 ,  4M104GG09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL13 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-161207   出願人：出光興産株式会社
• スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000418   出願人：出光興産株式会社
• In-Ga-Zn-Sn系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-126525   出願人：出光興産株式会社
• スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-238650   出願人：株式会社豊島製作所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electrical and Optical Properties of Transparent Conducting Homologous Compounds in the Indium-Galli