特許
J-GLOBAL ID：201003067302386645

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
長谷山 秀悦

長谷山 秀悦 について

, 
浅野 弥寿昭

浅野 弥寿昭 について


出願人/特許権者：
株式会社豊島製作所

株式会社豊島製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-238650
公開番号（公開出願番号）：特開2010-047829
出願日： 2008年08月20日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：
【課題】ZnxGayInzO(x+3y/2+3z/2)薄膜をDCスパッタリングで作製可能なようにInとGaとZnと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を2.0×10-2Ω・cm以下にすること。【解決手段】スパッタリングターゲットの結晶組織をInxO3とZnzGayO4との2相にすることにより低抵抗が得られる。該2相組織は1100°C以上、1250°C未満の温度で、還元性雰囲気あるいは実質的に酸素が流入しない閉空間で焼成することにより達成できる。相対密度が90%を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して2.0×10-2Ω・cm以下の比抵抗が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
InとGaとZnと酸素とからなるスパッタリングターゲットであって、その結晶組織がInxO3とZnzGayO4との2相からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01L21/285 S
Fターム (21件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030CA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA17 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD40 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM