特許
J-GLOBAL ID：200903000503887741
スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-000418
公開番号（公開出願番号）：特開2008-163442
出願日： 2007年01月05日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、膜質異常がなく、表面平滑性に優れた酸化物半導体膜を製造できるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ZnGa2O4で表される化合物及びInGaZnO4で表される化合物含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、
ZnGa2O4で表される化合物及びInGaZnO4で表される化合物含むスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/34 A
, C04B35/00 J
4G030AA14
, 4G030AA17
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030AA23
, 4G030AA24
, 4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030AA38
, 4G030BA02
, 4G030BA15
, 4G030CA01
, 4G030GA22
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
出願人引用 (18件)
-
導電性酸化物およびそれを用いた電極
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-101321
出願人：ホーヤ株式会社
-
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-325371
出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
-
特開昭63-239117号公報
全件表示
審査官引用 (3件)
引用文献：
前のページに戻る
