特許
J-GLOBAL ID：200903038808463701

In-Ga-Zn-Sn系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット

発明者：
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-126525
公開番号（公開出願番号）：特開2008-280216
出願日： 2007年05月11日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】スパッタリング時に、異常放電を低減できる物理成膜用ターゲット、及び耐PAN性の高い酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及び錫元素(Sn)を含み、Ga2In6Sn2O16又は(Ga,In)2O3で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及び錫元素(Sn)を含み、 Ga2In6Sn2O16又は(Ga,In)2O3で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/363
FI (3件)：
C04B35/00 J ,  C23C14/34 A ,  H01L21/363
Fターム (24件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103NN01
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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