特許
J-GLOBAL ID：201103065936278220
窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-324327
公開番号（公開出願番号）：特開2002-137968
特許番号：特許第3752528号
出願日： 2000年10月24日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化ケイ素粒子と、二粒子粒界、多粒子粒界相から構成される焼結体において、焼結体の組成がSi3N4-SiO2-Lu2O3系の三元系状態図上で、D点:99mol% Si3N4 - 0.4mol% SiO2- 0.6mol% Lu2O3、E点:99mol% Si3N4 - 0.6mol% SiO2 - 0.4mol% Lu2O3、F点:92mol% Si3N4 - 3.2mol% SiO2 - 4.8mol% Lu2O3、G点:92mol% Si3N4 - 4.8mol% SiO2 - 3.2mol%Lu2O3の4点で構成される四角形の中の、Si3N4が92mol% 〜Si3N499mol%、SiO2/Lu2O3モル比が3/2〜2/3の組成であり、粒界相がLu2SiO5の結晶相であり、粒界相中に占めるLu2SiO5結晶相以外の結晶相またはアモルファス相の割合が粒界相体積の10体積%以下となるまで焼成された、クリープ速度(毎秒)が4×0.00000001以下であることを特徴とする耐クリープ特性に優れた窒化ケイ素質焼結体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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