特許
J-GLOBAL ID：201103066827563280
熱処理方法および熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-277211
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119562
出願日： 2009年12月07日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】不純物注入時に導入された欠陥の回復を促進しつつ、不純物の良好な活性化を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】フラッシュランプFLが第1の発光ピークEP1を有する出力波形にて発光することにより第1のフラッシュ光照射が実行される。第1のフラッシュ光照射によって半導体ウェハーWの表面温度が850°C以上1000°C以下となり、これによって不純物注入時に導入された欠陥の回復が促進される。次に、フラッシュランプFLが第1の発光ピークEP2を有する出力波形にて発光することにより第2のフラッシュ光照射が実行される。第2のフラッシュ光照射によって半導体ウェハーWの表面の到達温度は1100°C以上1350°C以下となり、これによって不純物の良好な活性化が行われる。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプから第1のフラッシュ光照射を行って基板の表面を予備加熱するフラッシュ予備加熱工程と、
前記フラッシュ予備加熱工程の後、フラッシュランプから第2のフラッシュ光照射を行って基板の表面をさらに昇温するフラッシュ主加熱工程と、
を備え、
第1のフラッシュ光照射が開始されてから第2のフラッシュ光照射が開始されるまでの間隔は10ミリ秒以上600ミリ秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/26 T
, H01L21/26 G
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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