特許
J-GLOBAL ID：201103067187978425

強誘電体メモリ装置およびその製造方法

発明者：
西川 尚男

西川 尚男 について

, 
中山 雅夫

中山 雅夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274513
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094016
特許番号：特許第3894275号
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1電極、強誘電体膜および第2電極が積層されたキャパシタ構造を含む強誘電体メモリ装置の製造方法であって、以下の工程(a)〜(c)を含む、強誘電体メモリ装置の製造方法。 (a) 前記第1電極のための電極膜上に、強誘電体からなる連続膜を成膜し、その後に所定パターンのマスク層を形成する工程、 (b)-1 前記マスク層をマスクとして、前記連続膜を、所定の膜厚の膜を残す状態となるように異方性エッチングによって選択的に除去する工程であって、選択的に除去された強誘電体の膜の側壁に残さ物層が形成される状態となるように前記異方性エッチングが行われる工程、 (b)-2 前記工程(b)-1の後に、前記所定の膜厚の膜に反応種を供給し、該膜を構成する強誘電体と反応種との反応生成物を形成させる工程、および (c) 工程(b)-2で形成された前記反応生成物の層と、工程(b)-1で形成された前記残さ物層と、を同時に薬液処理によって除去する工程。
IPC (3件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/306 S ,  H01L 27/10 444 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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