特許
J-GLOBAL ID：201103067439716828

半導体素子用絶縁膜

発明者：
田中 明

田中 明 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-050280
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187613
出願日： 2010年03月08日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】ポリイミド前駆体組成物のワニス安定性が良好で取り扱い性に優れ、かつ、基板界面の残留応力を低減でき、耐熱性に優れた半導体素子用絶縁膜を提供する。【解決手段】芳香族ジアミンと、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる1種以上のアシル化合物とを反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を、イミド化して成膜したポリイミド膜からなる半導体素子用絶縁膜であって、前記ポリアミド酸は、前記アシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも1モル%以上多く反応して得られるポリアミド酸であり、前記ポリイミド膜の熱膨張率が2〜24ppm/°Cである半導体素子用絶縁膜。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
芳香族ジアミンと、芳香族テトラカルボン酸及び芳香族テトラカルボン酸二無水物から選ばれる1種以上のアシル化合物とを反応して得られるポリアミド酸を含むポリイミド前駆体組成物を、イミド化して成膜したポリイミド膜からなる半導体素子用絶縁膜であって、 前記ポリアミド酸は、前記アシル化合物を、前記芳香族ジアミンよりも1モル%以上多く反応して得られるポリアミド酸であり、 前記ポリイミド膜の熱膨張率が2〜24ppm/°Cであることを特徴とする半導体素子用絶縁膜。
IPC (5件)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  C08G 73/10 ,  C08J 5/18
FI (4件)：
H01L21/312 B ,  H01L29/78 658J ,  C08G73/10 ,  C08J5/18
Fターム (33件)：
4F071AA60 ,  4F071AB22 ,  4F071AE17 ,  4F071AE22 ,  4F071AF62Y ,  4F071AH12 ,  4F071BA02 ,  4F071BB02 ,  4F071BC01 ,  4J043PA02 ,  4J043PA04 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043SA06 ,  4J043SA36 ,  4J043SB01 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043TA71 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA122 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UB152 ,  4J043UB401 ,  4J043UB402 ,  4J043ZB11 ,  5F058AC02 ,  5F058AD04 ,  5F058AF04 ,  5F058AH03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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