特許
J-GLOBAL ID：200903074062311184

リサーフ構造を用いた窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタ

発明者：
清水 三聡

清水 三聡 について

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稲田 正樹

稲田 正樹 について

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中島 昭

中島 昭 について

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八木 修一

八木 修一 について

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奥村 元

奥村 元 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-328222
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134608
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】リサーフの効果を用いる構造により窒化物系ヘテロ接合トランジスタの高耐圧化を行う。【解決手段】窒化物半導体により構成されるトランジスタにおいて、GaN層3とAlyGa1-yNバリアー層4のヘテロ接合に形成された二次元キャリアガスの特性を持つn型チャンネルに対して、AlxGa1-xNバリアー層2とGaN層3のヘテロ接合にp型の二次元状キャリアを持つ電界制御チャンネルを平行に形成し、チャンネルと電界制御チャンネルが空乏化したときの空間固定電荷の面密度が実質的に等しくなるトランジスタ構造とすることにより、リサーフ効果を持たせ、これにより、オン耐圧やオフ耐圧の向上を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体により構成されリサーフ効果を有するヘテロ接合トランジスタであって、 ヘテロ接合に形成された二次元キャリアガスの特性を持つn型またはp型のチャンネルと、チャンネルと異なる極性の二次元状キャリアを持つ電界制御チャンネルを有し、 チャンネルと電界制御チャンネルは平行に位置し、チャンネルと電界制御チャンネルが空乏化したときの空間固定電荷の面密度は実質的に等しく、リサーフ効果を有する ことを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/72 H
Fターム (46件)：
5F003AP04 ,  5F003AP06 ,  5F003BA91 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BG03 ,  5F003BG10 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP31 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL09 ,  5F102GL14 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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