リッジストライプ型半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236688
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068787
特許番号：特許第3422365号
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板面上に形成されるダブルヘテロ構造層とからなり、前記ダブルヘテロ構造層は、第1クラッド層と第2クラッド層と、前記第1クラッド層と前記第2クラッド層とに挟まれた活性層を備え、前記第1クラッド層又は前記第2クラッド層のどちらか一方のクラッド層に、水平横方向の光閉じ込めを行うためのメサが形成され、前記メサが形成されている側の前記クラッド層は、前記メサの脇に近い部分の厚さが、前記脇から遠い部分の厚さに比べて小さく形成され、且つ、前記メサの前記脇から遠い部分の厚さが概ね一定であるくびれ形状に形成され、前記くびれ形状は、前記クラッド層がドライエッチングにより形成されるリッジストライプ型半導体レーザ装置。

IPC (1件)：