特許
J-GLOBAL ID：201103067866700045
電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-068450
公開番号（公開出願番号）：特開2011-203834
出願日： 2010年03月24日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】計算時間を短縮できる電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】電磁場シミュレーション方法は、電磁波が伝播する媒質に基づいて与えられた計算領域に第1のメッシュを設定する工程と、第1のメッシュ上に割り当てられた媒質の特性値に基づいて、周波数領域解法により第1のメッシュ上での電磁場分布を算出する工程と、計算領域に第2のメッシュを設定する工程と、周波数領域解法により得た電磁場分布を、第2のメッシュに割り当てる工程と、第2のメッシュに割り当てた電磁場分布を、時間領域解法により所定の時間単位で更新する工程と、を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電磁波が伝播する媒質に基づいて与えられた計算領域に第1のメッシュを設定する工程と、
前記第1のメッシュ上に割り当てられた前記媒質の特性値に基づいて、周波数領域解法により前記第1のメッシュ上での電磁場分布を算出する工程と、
前記計算領域に第2のメッシュを設定する工程と、
前記周波数領域解法により得た前記電磁場分布を、前記第2のメッシュに割り当てる工程と、
前記第2のメッシュに割り当てた前記電磁場分布を、時間領域解法により所定の時間単位で更新する工程と、
を備えたことを特徴とする電磁場シミュレーション方法。
IPC (4件)：
G06F 19/00
, G06F 17/50
, H01L 21/027
, H01L 21/00
G06F19/00 110
, G06F17/50 612H
, H01L21/30 502G
, H01L21/00
5B046AA08
, 5F046DA02
, 5F146DA02
