特許
J-GLOBAL ID：201103068681766976
高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 長濱 範明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309625
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130911
特許番号：特許第4524822号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコンアルコキシドを酸性溶媒中で反応させシリコンアルコキシド部分重合体を含む液体を得る部分重合工程と、
前記液体に界面活性剤を添加して、前記シリコンアルコキシド部分重合体と該界面活性剤とからなる複合体を形成せしめる複合体形成工程と、
前記複合体を含む液体のpHを3以下に調整して複合体安定化物を得る安定化工程と、
表面に溝を有する基板に前記複合体安定化物を含む液体を塗布して前記溝に該液体を充填し、加熱乾燥して前記複合体安定化物を反応させることにより、前記界面活性剤を含有したシリカメソ多孔体薄膜を基板上に形成せしめる薄膜形成工程と、
を含み、
前記薄膜形成工程の前に、平行に複数並んだレジスト硬化物と、隣り合う前記レジスト硬化物の間に形成された前記溝とを有するレジストパターンを備える前記基板を得る工程を更に含むことを特徴とする高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
C01B 33/12 ( 200 6.01)
, C01B 37/02 ( 200 6.01)
C01B 33/12 C
, C01B 37/02
